FDMS8880_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDMS8880 N溝道MOSFET采用先進的DFN5X6-8L封裝技術(shù)，兼顧小型化與高效散熱性能。該器件特點顯著額定漏源電壓(VDSS)高達30V，能承載50A的連續(xù)大電流，其6.5mΩ的超低導通電阻(RD(on))確保了卓越的能效轉(zhuǎn)化率和低損耗運行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理、電機驅(qū)動等行業(yè)，是提升系統(tǒng)性能、實施節(jié)能方案的理想半導體元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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