SI7139DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI7139DP-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，不僅具有良好的散熱性能，而且體型小巧便于集成。器件關(guān)鍵參數(shù)如下最高漏源電壓(VDSS)為30V，能承受高達70A的連續(xù)電流，且擁有6mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了高效的功率轉(zhuǎn)換與較低的能耗。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等領(lǐng)域，是優(yōu)化系統(tǒng)性能、達成節(jié)能目標(biāo)的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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