BSC030P03NS3G_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/110.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
BSC030P03NS3G P溝道MOSFET采用先進(jìn)的DFN5X6-8L封裝，實現(xiàn)小體積與高效散熱的完美融合。該器件規(guī)格出眾具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠處理高達(dá)110A的連續(xù)大電流，而3mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))使其在運(yùn)行過程中表現(xiàn)出色，大大提升了系統(tǒng)能效，降低損耗。廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等高功率應(yīng)用場景，是追求高效、節(jié)能方案的理想半導(dǎo)體器件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
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