SI7850DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/20.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI7850DP-T1-GE3 是一款采用先進(jìn)DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOS管，具有出色的60V漏源電壓VDSS和高達(dá)30A的連續(xù)電流ID處理能力，特別適用于高功率應(yīng)用場合。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為20mR，顯著提高了電路效率并降低了功耗。這款MOS管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體器件。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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