NVMFS5C466N_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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NVMFS5C466N 是一款高性能N溝道MOSFET，采用DFN5X6-8L封裝，體積小巧，適應(yīng)各種緊湊型設(shè)計(jì)需求。該器件擁有40V的漏源電壓(VDSS)和高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大的電流處理能力。其導(dǎo)通電阻僅為6.9mΩ(RD(on))，大大提升了系統(tǒng)能效，減少了能源浪費(fèi)。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高功率、低損耗的理想半導(dǎo)體元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
