SI7192DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI7192DP-T1-GE3 是一款N溝道MOS管，采用小型DFN5X6-8L封裝，特別適合空間敏感和高性能電子設(shè)備應(yīng)用。該器件支持30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)強(qiáng)大的電流處理能力。其亮點(diǎn)在于2mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效降低功耗，提高整體系統(tǒng)效率，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域，是實現(xiàn)高效能、節(jié)能電路設(shè)計的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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