CSD16321Q5_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
CSD16321Q5 N溝道MOS管采用先進DFN5X6-8L封裝技術(shù)，體積精巧，性能強大。此器件承載電壓高達30V，最大連續(xù)漏極電流可達150A，確保在高壓大電流環(huán)境下穩(wěn)定運行。其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻僅有2mΩ，有助于降低功耗、提升系統(tǒng)效能，特別適合應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等場合，是您實現(xiàn)高效節(jié)能電路設(shè)計的理想伙伴。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013
