Si4178DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si4178DY-T1-GE3 N溝道MOSFET采用SOP-8封裝形式，專為高效能、大電流應用設計。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定傳輸8.5A連續(xù)電流，其出色的導通電阻僅為14mΩ，確保在高負載條件下仍能保持高效率和低功耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等場景，憑借卓越的電流處理能力和優(yōu)異的電氣性能，為您的電路設計提供有力支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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