Si2307CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:P溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/4.1A 參數(shù)4:RDON/48.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2307CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET,采用緊湊型SOT-23封裝,專為高效能電子設(shè)計(jì)。該器件工作電壓VDSS高達(dá)30V,可承載4.1A連續(xù)電流,且擁有低至48mR的導(dǎo)通電阻,有效提高系統(tǒng)能效,降低能耗。適用于電源開關(guān)控制、電池保護(hù)和各類中等電流負(fù)載驅(qū)動應(yīng)用,是工程師設(shè)計(jì)高集成度、低功耗方案的理想半導(dǎo)體元件。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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