SI2309CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI2309CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適用于空間緊湊的高效電路設(shè)計(jì)。該器件具備60V的漏源電壓額定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的導(dǎo)通電阻下穩(wěn)定傳遞2A漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)電路、負(fù)載開關(guān)等場景，憑借其出色的電壓耐受力與良好的電流控制特性，成為您提升系統(tǒng)效能和可靠性的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈南座2013
