SQ2309ES-T1_GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SQ2309ES-T1_GE3 是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適應(yīng)高密度電路板布局。器件提供60V的漏源耐壓(VDSS)，并能在低導(dǎo)通電阻160mR(RD(on))下穩(wěn)定傳輸2A漏極電流(ID)。適用于電池保護(hù)、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域，此款MOS管以其出色的電壓承受能力和高效的電流控制性能，為您的電路設(shè)計帶來更高的靈活性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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