Si2312BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/23.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2312BDS-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高集成度和低功耗應(yīng)用設(shè)計。器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承受3A的連續(xù)漏極電流(ID)，憑借其卓越的23mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，在保證高效率的同時有效降低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等電路中，是實現(xiàn)小型化、節(jié)能電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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