Si2305CDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2305CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用輕巧的SOT-23封裝，專為小型化電子設(shè)備提供高效能解決方案。該器件擁有以下關(guān)鍵特性最大工作電壓VDSS為20V，確保在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行；具備5A的漏極電流能力，滿足多種電流需求；導(dǎo)通電阻RD(on)低至30mΩ，有助于減少功耗，提升整體效率。廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制和電池保護(hù)等場(chǎng)景，是您理想中的高集成度與節(jié)能型MOS管組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
