SISA96DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SISA96DN-T1-GE3 是一款N溝道MOS管，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化和高性能需求打造。該器件能在30V的最大漏源電壓(VDSS)下工作，提供50A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其導(dǎo)通電阻(RD(on))低至7.5mΩ，有效降低了功率損耗，提升了電路效率，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等高要求應(yīng)用場(chǎng)景，是您實(shí)現(xiàn)高效節(jié)能設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
