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ZXMN6A25K_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/20.0A 參數(shù)4:RDON/27.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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ZXMN6A25K N溝道MOS管采用緊湊型TO-252-2L封裝工藝,具備出色的電氣性能。它擁有高達(dá)60V的漏源耐壓(VDSS)及20A的連續(xù)漏極電流(ID),可承載大電流負(fù)載。此外,導(dǎo)通電阻僅27mΩ,有效提升了能源利用率并降低發(fā)熱。此款MOS管適用于各類開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動等場景,憑借其優(yōu)秀的電氣特性和可靠性,成為現(xiàn)代高效能電子設(shè)備的理想選擇。



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