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FDD3860_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/100.0V 參數(shù)3:ID/30.0A 參數(shù)4:RDON/35.0mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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FDD3860 是一款高性能N溝道MOSFET,采用常見的TO-252-2L封裝,特別適合于高電壓、大電流應(yīng)用場景,如電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等。該器件能承受100V的工作電壓,并支持30A的連續(xù)電流,具有出色的電流處理能力。其導(dǎo)通電阻低至35mΩ,有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)能效。選擇FDD3860 MOS管,將為您帶來更加穩(wěn)定、高效的電路設(shè)計體驗。



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