DMTH6009LK3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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DMTH6009LK3 是一款專業(yè)級N溝道MOSFET，采用小巧高效的TO-252-2L封裝形式，專為高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在嚴(yán)苛條件下穩(wěn)定輸出80A的連續(xù)漏極電流(ID)，更值得一提的是其卓越的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅為6.5mΩ(RD(on))，助力降低功耗、提升系統(tǒng)運(yùn)行效率。該MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您的高性能電力解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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