FDD6630A_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDD6630A 是一款N溝道MOSFET，選用TO-252-2L封裝形式，專為高功率、大電流應(yīng)用設(shè)計。該器件支持高達30V的漏源極電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定承載20A的連續(xù)漏極電流，體現(xiàn)了出色的電流處理能力。其關(guān)鍵特性在于僅有15mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效提升系統(tǒng)工作效率，減少功率損耗。廣泛運用于電源轉(zhuǎn)換、馬達驅(qū)動、大電流開關(guān)電路等領(lǐng)域，是追求高效、耐用性能的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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