UMH3N_SOT-363_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：數(shù)字晶體管 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：晶體管類型: NPN+NPN 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vceo): 50V 參數(shù)3：集電極電流(Ic): 100mA 參數(shù)4：功率(Pd): 150mW 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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描述: 這款數(shù)字晶體管采用先進(jìn)的SOT-363封裝，內(nèi)置一對互補(bǔ)NPN型晶體管。器件提供50V的集射極擊穿電壓（Vceo）及0.1A的最大集電極電流（Ic），功率耗散能力為150mW。其卓越的低飽和電壓特性，在5mA集電極電流和0.25mA基極電流時，VCE(sat)僅為300mV，同時擁有出色的直流電流增益，hFE在1mA/5V條件下范圍達(dá)100至600。此外，該晶體管具有高達(dá)250MHz的截止頻率(fT)，確保高速開關(guān)性能。適用于各類低功耗、高速數(shù)字電路設(shè)計，如邏輯門電路、信號放大器等應(yīng)用場合，以其小巧體積與優(yōu)越電氣性能滿足現(xiàn)代電子設(shè)備精細(xì)化需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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