ASML 在 imec 的 ITF World 2024 大會上宣布，其首臺高數(shù)值孔徑機(jī)器現(xiàn)已創(chuàng)下新的芯片制造密度記錄，超越了兩個月前創(chuàng)下的記錄。ASML 前總裁兼首席技術(shù)官 Martin van den Brink 目前在該公司擔(dān)任顧問，他還提議該公司可以開發(fā)超數(shù)值孔徑（hyper NA）芯片制造工具，以進(jìn)一步擴(kuò)大其高數(shù)值孔徑機(jī)器的規(guī)模，并分享了潛在的路線圖。

他概述了一項計劃，通過大幅提高未來 ASML 工具的速度到每小時 400 到 500 個晶圓 (wph)，這是目前 200 wph 峰值的兩倍多，從而降低 EUV 芯片制造成本。他還為 ASML 未來的 EUV 工具系列提出了一種模塊化統(tǒng)一設(shè)計。

Van der Brink 表示，經(jīng)過進(jìn)一步調(diào)整，ASML 現(xiàn)已使用其開創(chuàng)性的高數(shù)值孔徑 EUV 機(jī)器打印出 8nm 密集線條，這是專為生產(chǎn)環(huán)境設(shè)計的機(jī)器的密度記錄。這打破了該公司在 4 月初創(chuàng)下的記錄，當(dāng)時該公司宣布已使用位于荷蘭費(fèi)爾德霍芬 ASML 總部與 imec 聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的開創(chuàng)性高 NA 機(jī)器打印出 10nm 密集線條。

從長遠(yuǎn)來看，ASML 的標(biāo)準(zhǔn)低 NA EUV 機(jī)器可以打印 13.5nm 的臨界尺寸（CD——可以打印的最小特征），而新的High NA EXE:5200 EUV 工具旨在通過打印 8nm 特征來制造更小的晶體管。因此，ASML 現(xiàn)在已經(jīng)證明其機(jī)器可以滿足其基本規(guī)格。

“今天，我們已經(jīng)取得了進(jìn)展，能夠顯示創(chuàng)紀(jì)錄的 8nm 成像，在整個視野范圍內(nèi)得到校正，但也有一定程度的重疊，”Van der Brink 說道，“順便說一句，這不是完美的數(shù)據(jù)，但它只是為了向你展示進(jìn)展。今天，我們有信心，憑借High NA 技術(shù)，我們將能夠在未來的時間里跨越到終點(diǎn)線?！?/span>

這一里程碑代表了 10 多年的研發(fā)和數(shù)十億歐元投資的成果，但仍有更多工作要做，以優(yōu)化系統(tǒng)并為主要芯片制造商的大規(guī)模生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。這項工作已經(jīng)在荷蘭開始，而英特爾是已知唯一一家已經(jīng)完全組裝High NA 系統(tǒng)的芯片制造商，它正緊隨 ASML 的腳步，在俄勒岡州的 D1X 工廠投入運(yùn)營自己的機(jī)器。英特爾將首先將其 EXE:5200 High NA 機(jī)器用于研發(fā)目的，然后將其投入生產(chǎn) 14A 節(jié)點(diǎn)。

Van der Brink 還再次提出了一種新的超數(shù)值孔徑 EUV 機(jī)器，但尚未對該機(jī)器做出最終決定——ASML 似乎正在衡量行業(yè)興趣，但只有時間才能證明它是否會實(shí)現(xiàn)。


首臺High NA EUV光刻機(jī)已完成組裝

4月19日，英特爾宣布，首臺阿斯麥制造的High NA EUV光刻機(jī)完成組裝。此外，第二臺High NA EUV光刻機(jī)也被秘密發(fā)貨，目前還不得而知接收方是誰。

EUV光刻機(jī)是生產(chǎn)芯片的必要設(shè)備，而芯片代工坐擁全球第一的臺積電，卻錯失了最新研制出的生產(chǎn)設(shè)備。

而英特爾即便在工藝上落后于臺積電，但有了新一代EUV光刻機(jī)的支持，基本就成了臺積電的直接競爭對手。而且是一位“全能型”對手。


臺積電或放棄購買High-NA EUV光刻機(jī)

近日，臺積電更是表示，其A16（也可以認(rèn)為是1.6nm）工藝，將在2026年量產(chǎn)，而所謂的A16工藝，實(shí)際上是2nm工藝的升級版，臺積電2025年實(shí)現(xiàn)2nm，2026年實(shí)現(xiàn)A16。

同時臺積電還著重提出，A16制程工藝并不需要下一代High-NA EUV光刻系統(tǒng)的參與。

為何會著重提出這一點(diǎn)，原因在于目前業(yè)界有一種聲音，那就是進(jìn)入2nm工藝，必須用到ASML最新的光刻機(jī)，也就是High-NA EUV光刻機(jī)。

這種High-NA EUV光刻機(jī)對應(yīng)之前的EUV光刻機(jī)，最大的區(qū)別的就是數(shù)值孔徑的變化，之前的EUV光刻機(jī)數(shù)值孔徑是0.33，而High-NA EUV提供了0.55數(shù)值孔徑。

ASML稱，之前的標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)可以打印13.5nm的線寬，而High-NA EUV光刻機(jī)可打印8nm線寬，所以生產(chǎn)2nm芯片時，效果更好。

另外ASML還稱，新EUV光刻機(jī)處理晶圓的速度提升了100%至150%，從原來的每小時200片晶圓，提升到每小時400至500片晶圓。

不過，這樣的光刻機(jī)好是好，價格可不便宜，設(shè)備的價格約在3.85億美元(約28億元人民幣)起步。

臺積電目前擁有標(biāo)準(zhǔn)的0.33數(shù)值孔徑的光刻機(jī)上百臺，如果全部換成這種新的，成本高達(dá)400億美元，臺積電當(dāng)然不想換，成本完全背不起啊。

所以，臺積電的計劃是，不管你ASML怎么升級，反正我不變，我用舊的EUV光刻機(jī)，也要生產(chǎn)出2nm，甚至升級版A16(1.6nm)的芯片出來。

這對于ASML而言，就有點(diǎn)麻煩了，一旦新EUV光刻機(jī)，得不到臺積電這樣的巨頭支持，那賣給誰呢？


阿斯麥業(yè)績受到制裁影響而暴跌

4月17日，阿斯麥發(fā)布2024年第一季度財報。第一財季公司營收和凈利潤環(huán)比均出現(xiàn)大幅下滑，新增訂單更是環(huán)比下降超60%，遠(yuǎn)低于市場預(yù)期。

中國香港的《南華早報》報道了一個新聞，說是研究人員表示，美國的出口管制，可能無意中導(dǎo)致中國在全球傳統(tǒng)芯片生產(chǎn)中占據(jù)主導(dǎo)地位。

芯片行業(yè)似乎正在重新洗牌。而這一切的一切，其實(shí)都源于美國制裁。那這究竟是咋回事呢？

話說芯片行業(yè)規(guī)模很大，我們可以一分為二來看，首先是手機(jī)芯片和AI芯片，都屬于先進(jìn)制程芯片技術(shù)，這是中國之前被卡脖子的領(lǐng)域。除了之外，另一部分是成熟半導(dǎo)體技術(shù)，這部分被沒有被卡脖子。

這幾年無論是先進(jìn)制程芯片，還是成熟半導(dǎo)體，中國可以說是突飛猛進(jìn)。我們先從先進(jìn)制程芯片說起。

眾所周知，美國不斷加碼對中國先進(jìn)制程芯片的制裁，希望一舉摧毀中國的芯片產(chǎn)業(yè)。結(jié)果似乎沒有按照美國想要的劇本發(fā)展。制造先進(jìn)制程芯片，得用光刻機(jī)，這就一定繞不過阿斯麥。

而阿斯麥最近卻問題連連。問題的根源是不滿荷蘭對于美國的一再妥協(xié)，導(dǎo)致自己沒辦法為中國提供服務(wù)，而中國是全球第一大芯片市場，這就讓阿斯麥進(jìn)退兩難。

所以阿斯麥想離開荷蘭，去其他地方找找機(jī)會。

而放眼全球，現(xiàn)在只有中國在擴(kuò)大產(chǎn)能，購買光刻機(jī)，而其他地方則相對低迷，購買光刻機(jī)很謹(jǐn)慎。就拿今年一季度來說，阿斯麥來自中國大陸的營收占比達(dá)到49%。

阿斯麥?zhǔn)紫攧?wù)官達(dá)森就表示：中國客戶約占公司積壓訂單的20%。中國的需求很強(qiáng)勁。其產(chǎn)能增加是合理的，并且符合本世紀(jì)后半段的全球需求。

而中國芯片又被制裁，這就導(dǎo)致阿斯麥今年第一季的營收非常不理想，從去年四季度的92億歐元，跌到了只剩36億歐元，而之前的預(yù)期是至少要超過50億，隨著阿斯麥一季度財報的披露，阿斯麥股價大跌，拖累歐美芯片股齊跌。

阿斯麥CEO溫寧克就表示：目前，沒有什么能阻止我們?yōu)橹袊蛻粢呀?jīng)購買的產(chǎn)品提供服務(wù)。同時他們也盡可能想辦法抵制美國額外施加制裁措施。