5月24日，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司正式宣布成立，由張新?lián)畏ǘù砣?，其注?cè)資本高達(dá)3440億人民幣。


著眼長(zhǎng)效目標(biāo)解決卡脖子問(wèn)題

大基金一期成立于2014年，注冊(cè)資本987億，主要任務(wù)為集成電路制造產(chǎn)線建設(shè)，為國(guó)產(chǎn)替代打下鋪墊，投資領(lǐng)域主要集中于集成電路制造（約67%）。

大基金二期成立于2019年，注冊(cè)資本2042億，主要任務(wù)為完善產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，加速國(guó)產(chǎn)替代，投資領(lǐng)域更加多元，涵蓋制造、設(shè)計(jì)、封測(cè)、零部件、材料及應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域。方向是布局核心設(shè)備及關(guān)鍵零部件，確保產(chǎn)業(yè)鏈安全可控。

大基金三期成立于2024年，注冊(cè)資本3440億。根據(jù)一、二期投資節(jié)奏以及當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展現(xiàn)狀，推測(cè)大基金三期主要任務(wù)可能是要打通關(guān)鍵的“卡脖子”環(huán)節(jié)，加大對(duì)核心技術(shù)、材料、零部件等領(lǐng)域的支持力度。

根據(jù)中信證券統(tǒng)計(jì)，大基金一期的投資主要集中在IC制造（63%）、IC設(shè)計(jì)（20%）、封裝測(cè)試（10%）和設(shè)備材料（7%）等環(huán)節(jié)。根據(jù)財(cái)聯(lián)社創(chuàng)投通-執(zhí)中數(shù)據(jù)，大基金二期的投向中，晶圓制造領(lǐng)域比例達(dá)到70%，可見(jiàn)制造環(huán)節(jié)由于建廠支出較高，投資金額占比最重；對(duì)設(shè)備、材料的投資占比有所增加，達(dá)到了10%左右；對(duì)IC設(shè)計(jì)項(xiàng)目的投資額也達(dá)到了10%左右的比例；對(duì)封測(cè)業(yè)的出資比例則有所下降。

考慮到目前先進(jìn)制造和配套的設(shè)備、材料、零部件、EDA、IP等供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)存在“卡脖子”問(wèn)題，我們預(yù)計(jì)對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域龍頭企業(yè)的支持力度有望持續(xù)加大。同時(shí)，由于晶圓廠資本支出中約80%用于購(gòu)置半導(dǎo)體設(shè)備，投資于晶圓廠建廠的支出也將使半導(dǎo)體設(shè)備、零部件及材料廠商顯著受益。


擴(kuò)產(chǎn)有望逐步落地，

看好半導(dǎo)體設(shè)備自主可控大趨勢(shì)

半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基本支撐，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)空間廣闊。半導(dǎo)體設(shè)備處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，為半導(dǎo)體支撐產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體設(shè)備主要分為前道設(shè)備和后道設(shè)備，前道設(shè)備包括光刻、刻蝕、清洗、離子注入、薄膜生長(zhǎng)、化學(xué)機(jī)械平坦等；后道設(shè)備包括減薄、劃片、打線、Bonder、FCB、BGA 植球、檢查、測(cè)試設(shè)備等。2023年上半年，受行業(yè)去庫(kù)及制裁收緊影響，半導(dǎo)體設(shè)備銷售額受到明顯影響，出現(xiàn)一定程度下滑。2023年下半年開(kāi)始中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額出現(xiàn)明顯回暖，4Q23中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)121.29億美元，同比+90.81%，反映出中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備旺盛需求。與此同時(shí)，2023年中國(guó)大陸占全球半導(dǎo)體前道設(shè)備市場(chǎng)比例已達(dá)35%，是半導(dǎo)體前道設(shè)備中最大的細(xì)分市場(chǎng)。

競(jìng)爭(zhēng)格局較為集中，國(guó)產(chǎn)替代空間遼闊。薄膜沉積、刻蝕和光刻設(shè)備是最重要的三大前道設(shè)備，各自所占市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到均接近20%。目前半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代第一階段已初步完成，但部分環(huán)節(jié)仍處于“卡脖子”階段。在光刻機(jī)、量/檢測(cè)設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備、離子注入設(shè)備領(lǐng)域，整體國(guó)產(chǎn)化率仍然較低，但在清洗設(shè)備、部分刻蝕設(shè)備、CMP設(shè)備及熱處理設(shè)備領(lǐng)域已完成基本國(guó)產(chǎn)化替代。展望未來(lái)，隨先進(jìn)制程產(chǎn)品逐步成熟以及先進(jìn)制程持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)廠商設(shè)備有望在導(dǎo)入窗口內(nèi)進(jìn)一步成熟，持續(xù)提升整體國(guó)產(chǎn)化率。整體來(lái)說(shuō)，看好國(guó)產(chǎn)廠商自身產(chǎn)品逐漸突破，隨先進(jìn)制程持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)而迎來(lái)國(guó)產(chǎn)化率逐步提升。

制程逐漸突破，帶動(dòng)設(shè)備投入增加。隨著先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)，芯片制程不斷縮小，摩爾定律逐步失效，對(duì)晶圓代工廠帶來(lái)的建設(shè)成本急速上升。5nm芯片的晶圓廠建設(shè)成本高達(dá)54億美元是7nm的1.8倍。其中，晶體管結(jié)構(gòu)從平面走向立體，芯片結(jié)構(gòu)走向3D化，對(duì)刻蝕和薄膜沉積設(shè)備“量?jī)r(jià)齊升”。由于目前先進(jìn)工藝芯片加工使用的光刻機(jī)受到波長(zhǎng)限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工多通過(guò)等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合，使得刻蝕等相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多且60：1及以上高深寬比設(shè)備使用次數(shù)增加，刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備越來(lái)越成為關(guān)鍵核心的設(shè)備，在芯片制造環(huán)節(jié)的使用頻率及設(shè)備單價(jià)均有顯著提升。

光刻機(jī)陸續(xù)到貨，下游需求持續(xù)回暖，看好國(guó)內(nèi)晶圓廠后續(xù)下單擴(kuò)產(chǎn)。根據(jù)中國(guó)海關(guān)總署的數(shù)據(jù)，1Q24中國(guó)從荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口額達(dá)到21.67億美元，同比+290.4%，一季度到貨光刻機(jī)共計(jì)54臺(tái)，ASML1Q24收入中中國(guó)大陸地區(qū)占比持續(xù)提升，已達(dá)49%。根據(jù)IDC和Canalys數(shù)據(jù)，手機(jī)出貨連續(xù)三個(gè)季度保持正增長(zhǎng)，PC出貨量連續(xù)兩個(gè)季度同比向上；同時(shí)，部分芯片設(shè)計(jì)公司已從“被動(dòng)補(bǔ)庫(kù)存”階段陸續(xù)進(jìn)入“主動(dòng)去庫(kù)存階段”，22Q4開(kāi)始已經(jīng)有部分芯片設(shè)計(jì)廠商庫(kù)存水位下降，大多數(shù)芯片設(shè)計(jì)公司庫(kù)存呈企穩(wěn)態(tài)勢(shì)。2023年中芯國(guó)際資本開(kāi)支76.33億美元，同比+21.9%，根據(jù)中芯國(guó)際年報(bào)，24年資本開(kāi)支預(yù)計(jì)將持平。邏輯類代工大廠維持高資本開(kāi)支疊加國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)大廠年內(nèi)有望招標(biāo)擴(kuò)產(chǎn)，24年規(guī)劃內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)有望逐步落地，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望迎來(lái)訂單大年。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商的招標(biāo)和設(shè)備下單的情況有望得到積極的改善，看好訂單彈性較大的中微公司、拓荊科技；隨著半導(dǎo)體周期走出底部，一些成熟制程大廠的資本開(kāi)支有望重新啟動(dòng)，自主可控疊加復(fù)蘇預(yù)期，看好其中國(guó)產(chǎn)化率較低的中科飛測(cè)、芯源微；同時(shí)2024年先進(jìn)制程設(shè)備研發(fā)與驗(yàn)證導(dǎo)入持續(xù)推進(jìn)，看好國(guó)產(chǎn)設(shè)備平臺(tái)公司北方華創(chuàng)。


半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將迎來(lái)復(fù)蘇

2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模同比下降1.3%至1,063億美元，中國(guó)大陸仍為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。預(yù)計(jì)2024年市場(chǎng)將迎來(lái)復(fù)蘇，并在2025年達(dá)到1,240億美元的市場(chǎng)規(guī)模。

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)在5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的驅(qū)動(dòng)下不斷擴(kuò)大，市場(chǎng)規(guī)模由2019年的598億美元增長(zhǎng)至2022年的1,076億美元，2017-2022年CAGR為15.8%。

2023年，受到下游芯片需求疲軟，以及終端庫(kù)存過(guò)高的影響，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模同比下降1.3%至1,063億美元。2023年，全球半導(dǎo)體設(shè)備支出排名前三的市場(chǎng)分別為中國(guó)大陸、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣，三者合計(jì)占據(jù)全球設(shè)備市場(chǎng)72%的份額，而中國(guó)大陸仍為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模也由2019年的135億美元增長(zhǎng)至2023年的367億美元，2019-2023年CAGR為28.4%。

由于半導(dǎo)體市場(chǎng)具有周期性，在2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備投資額出現(xiàn)下滑后，預(yù)計(jì)2024年市場(chǎng)出現(xiàn)回暖，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1,095億美元，同比增長(zhǎng)3.0%。2025年，在晶圓廠新建及產(chǎn)能擴(kuò)增，以及前后端先進(jìn)技術(shù)和解決方案的推動(dòng)下，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1,240億美元，同比增長(zhǎng)13.3%。