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英特爾欲借14A工藝重回晶圓代工領(lǐng)先地位,臺積電能“答應(yīng)”嗎?

2024-05-28 來源:賢集網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 英特爾 晶圓 臺積電

這幾年,Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝,希望以最快的速度反超臺積電,重奪領(lǐng)先地位,現(xiàn)在又重申了這一路線,尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝,在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。

目前,Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

其中,Intel 3作為升級版,應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續(xù)發(fā)布,其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì),最多288個。



Intel 20A和Intel 18A兩個節(jié)點(diǎn)正在順利推進(jìn)中,分別相當(dāng)于2nm、1.8nm,將繼續(xù)采用EUV技術(shù),并應(yīng)用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。

憑借它們兩個,Intel希望能在2025年重奪制程領(lǐng)先性。

之后,Intel將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術(shù),推進(jìn)未來制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)和制造,以鞏固領(lǐng)先性。

其中一個關(guān)鍵點(diǎn)就是High NA EUV技術(shù),而數(shù)值孔徑(NA)正是衡量收集和集中光線能力的指標(biāo)。

通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統(tǒng),High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率,從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn),Intel 14A 1.4nm級就將采用High NA EUV光刻技術(shù)。


臺積電2nm制程進(jìn)展順利

近期,在臺積電2024年技術(shù)論壇-中國臺灣場會上,針對先進(jìn)制程最新狀況,業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總暨副共同營運(yùn)長張曉強(qiáng)表示,采用創(chuàng)新納米片(Nanosheet)的2納米制程進(jìn)展「非常順利」,目前納米片轉(zhuǎn)換表現(xiàn)已達(dá)到目標(biāo)90%、換成良率即超過80%。而之后的A16將結(jié)合臺積電超級電軌(Super Power Rail)架構(gòu)與納米片電晶體,預(yù)計(jì)2026年下半年登場。

張曉強(qiáng)指出,對臺積電來說,7納米是一個重要里程碑,第一次超越IDM提供全世界最領(lǐng)先的技術(shù),之后在5納米、3納米一路領(lǐng)先業(yè)界,在工藝不斷提升下,今年下半年將會看到更多HPC、手機(jī)產(chǎn)品進(jìn)入3納米時代,預(yù)期2納米在2025年推出后,也會是業(yè)界最領(lǐng)先的技術(shù)。

A16制程將接棒2納米后登場,其將結(jié)合臺積電超級電軌(Super Power Rail)架構(gòu)與納米片電晶體,預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)。張曉強(qiáng)說明,進(jìn)入埃米(angstrom)時代,背面電軌技術(shù)至關(guān)重要,該技術(shù)將供電網(wǎng)絡(luò)移到晶圓背面,正面可釋出更多信號網(wǎng)絡(luò)的布局空間,不僅讓設(shè)計(jì)更富彈性,更可提升邏輯密度及效能。

相較于臺積N2P制程,A16在相同Vdd (工作電壓)下,速度增快8-10%;在相同速度下,功耗降低15-20%,芯片密度提升高達(dá)1.10倍,以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心產(chǎn)品。



預(yù)計(jì)今年AI芯片需求將增長2.5倍

臺積電歐亞業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理暨副共同營運(yùn)長侯永清在主題演講中表示,AI需求強(qiáng)勁,預(yù)期AI芯片需求年成長2.5倍,希望攜手合作伙伴一起面對充滿黃金契機(jī)的AI新時代。

侯永清說,目前產(chǎn)業(yè)逐步回暖,最困難的部分已經(jīng)度過。智能手機(jī)、PC市場正緩慢復(fù)蘇,預(yù)計(jì)將會年增長1-3%;AI/HPC數(shù)據(jù)中心需求依然強(qiáng)勁,預(yù)期AI加速器需求將年成長2.5倍;智能汽車芯片市場需求仍疲弱,今年將同比下滑1%~3%;物聯(lián)網(wǎng)市場今年有望有7-9%的增長,不過相較以前的20%表現(xiàn)較為疲軟。

臺積電此前在4月的法說會上提到,服務(wù)器AI處理器在今年所貢獻(xiàn)的營收將增長超過一倍,占臺積電2024年總營收的十位數(shù)低段(low-teens)百分比。在未來五年預(yù)計(jì)服務(wù)器AI處理器將以50%的年復(fù)合成長率增加,到了2028年將成長占臺積電營收超過20%。

侯永清說,臺積電預(yù)期今年不包括存儲芯片的全球半導(dǎo)體市場將同比增長10%,全球晶圓代工市場預(yù)計(jì)將同比增長15-20%(尚未包含英特爾IFS)。這個說法和臺積電此前法說會上一致。

另外,侯永清表達(dá),隨著AI/HPC數(shù)據(jù)中心市場的強(qiáng)勁增長,臺積電持續(xù)擴(kuò)張生態(tài)系統(tǒng)伙伴,已把內(nèi)存、載板、封測與測試伙伴加入系統(tǒng)和伙伴合作從芯片一路提供到封裝的完整整合方案。

在論壇期間,侯永清也運(yùn)用ChatGPT3.5展示臺積電如何幫助客戶。他還幽默地說,“看來相關(guān)摘要都和他剛才所說演講類似,不知道是誰抄誰的?!?/span>

侯永清強(qiáng)調(diào),臺積電不會和客戶競爭,信任和伙伴關(guān)系可以創(chuàng)造更多的商業(yè)機(jī)會,今天是充滿黃金契機(jī)的AI新時代。

侯永清還引用數(shù)據(jù)指出,預(yù)計(jì)2024年半導(dǎo)體晶圓代工產(chǎn)值達(dá)1500億美元,預(yù)期支持110萬億美元的全球經(jīng)濟(jì),預(yù)估2030年晶圓代工產(chǎn)值達(dá)2500億美元并支持1500萬億美元全球經(jīng)濟(jì)。